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世界第三代半導體 報捷

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旗下氮化鎵晶圓通過客戶驗證 快充、散熱效能受肯定 首批產品進入量產

世界第三代半導體報捷,已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證並進入量產,圖為世界董事長方略。(本報系資料庫)
世界第三代半導體報捷,已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證並進入量產,圖為世界董事長方略。(本報系資料庫)

本文共791字

經濟日報 記者尹慧中/台北報導

世界先進(5347)(5347)布局第三代半導體報捷,昨(22)日宣布旗下8吋0.35微米650 V新基底高電壓氮化鎵製程(GaN-on-QST)已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證並進入量產,為業績加分。

世界強調,該公司為特殊積體電路製造服務領域首家量產上述技術的公司,也開始和海內外整合元件廠(IDM)及IC設計公司展開合作。

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