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世界先進（5347）（5347）布局第三代半導體報捷，昨（22）日宣布旗下8吋0.35微米650 V新基底高電壓氮化鎵製程（GaN-on-QST）已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證並進入量產，為業績加分。
世界強調，該公司為特殊積體電路製造服務領域首家量產上述技術的公司，也開始和海內外整合元件廠（IDM）及IC設計公司展開合作。
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世界第三代半導體 報捷
提要
旗下氮化鎵晶圓通過客戶驗證 快充、散熱效能受肯定 首批產品進入量產
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