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大摩:DRAM迎「超級周期」 南亞科、威剛等營運吞補丸

提要

AI帶動需求 產業面臨前所未有的供需失衡 標準型價格一路看漲 南亞科、威剛等營運吞補丸

DRAM示意圖。 美聯社
DRAM示意圖。 美聯社

本文共1090字

經濟日報 記者李孟珊/台北報導

AI應用百花齊放,帶動記憶體需求大增,惟過去兩年記憶體廠資本支出不足,加上國際大廠大力投入高頻寬記憶體(HBM)消耗龐大產能,導致標準型DRAM供應銳減,外資摩根士丹利高喊,DRAM正迎來前所未有的供需失衡「超級周期」,標準型DRAM供應缺口更甚於HBM、高達23%,價格將一路上漲。

大摩預期,本季DRAM價格漲幅將比預期高至少六成,為這波DRAM「超級周期」暖身。業界看好,隨著DRAM迎來「超級周期」,價格漲勢比預期更強,南亞科(2408)、威剛(3260)、十銓(4967)等台廠營運吞大補丸。

DRAM迎來超級周期
DRAM迎來超級周期

瑞銀證券最新報告也認同國際DRAM大廠搶攻HBM,造成標準型DRAM產能排擠效應,將推升產業邁向上升周期,給予南亞科買進評等,目標價85元。

大摩、瑞銀均強調三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠全力進擊HBM帶來的產能消耗與排擠標準型DRAM產出的效應,透露「HBM擠壓標準型DRAM產能,導致標準型DRAM市況一路向上」已成為外資圈共識。

大摩分析,每單位HBM位元產出所需的晶圓容量,是標準型DRAM的兩倍,加上現階段HBM良率遠低於標準型DRAM,將消耗更多的現有產能,而前兩年DRAM廠資本支出普遍偏低,新增產能有限,在HBM大舉消耗DRAM廠現有產能下,預計明年標準型DRAM缺口高達23%,為近年罕見,也使得DRAM價格將一路上漲。

大摩認為,隨著過去兩年記憶體廠嚴格控管資本支出,導致當下沒有新的晶圓廠或大規模晶圓可用,加上HBM產能排擠效應,為DRAM市場2025年迎來前所未有的供需失衡「超級周期」提供強大動力。

大摩分析,即便HBM供應也缺,但明年缺口僅約11%,遠低於標準型DRAM供應缺口高達23%。

大摩並調升今年第3季DRAM和NAND晶片價格漲幅預估,由原預期8%和10%,上調至13%和20%,調升幅度高達六成以上,顯示DRAM和NAND的供需緊張態勢。

南亞科、威剛等台灣DRAM相關業者也按讚後市。南亞科認為,隨著國際DRAM大廠產能大量往HBM與DDR5挪移,DDR4等標準型記憶體市場將逐季好轉,價格也會逐季改善。

南亞科分析,HBM現階段占整體DRAM位元比重約低於5%,但消耗的產能大於5%,產能排擠效應顯現,即便南亞科並未投入HBM製造,也會受惠標準型產品價格上漲,為業績增添柴火。

威剛也看好今、明年DRAM市況,董座陳立白認為,除了DDR5價格續漲外,DDR4待庫存去化告段落,價格也將從8月開始進入第二波漲勢,漲幅至少30%以上。

十銓則說,下半年DDR5漲幅有機會達雙位數,DDR4與同業看法一致,漲幅上看三成。


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