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記憶體大廠美光財報公布 DRAM族群有望回溫
(美光將於9月27日盤後公布最新財報)
記憶體大廠美光將於9月27日盤後公布最新財報,近日 DRAM 原廠持續嚴格控管 DRAM 位元產出率效應下,使下半年的 DRAM 庫存水位開始逐步消退,且報價最快有機會就能在今年底全面止穩,台灣相關廠商有望因此受惠。
三星、SK海力士、美光等三大國際記憶體晶片廠積極擴大或轉換產品線至生產高頻寬記憶體(HBM)與 DDR5 之後,整體 DRAM 市場 DDR4 產出大幅減少,有助改善目前 DDR4 庫存偏高現象,華邦電、南亞科可望因此受惠。
美光日前於記者會釋出產業利多消息,在主要大廠減產效益奏效帶動下,已看到 DRAM 價格出現止跌態勢,預期今年底到明年上半年,供需將逐步回復正常。且在 AI 需求爆發之下,同樣看好2022年至2025年高頻寬記憶體市場年複合成長率逾50%,而且 AI 需求中的高頻寬記憶體容量是一般市場需求的五倍以上。
觀察當前消費性市況,目前PC/筆電、手機需求雖然仍未重回成長動能,但由於當中搭載的 DRAM 容量仍不斷成長,以 iPhone 為例,iPhone 14系列最高僅搭載6GB的 LPDDR5 或是 LPDDR4X,不過進入到iPhone 15世代後,最高已經提升到8GB的LPDDR5,顯示搭載 DRAM 容量呈現只升不降態勢。
通膨關鍵數據 8月PCE公布 市場關注聯準會後續升息走向
(9月28日 8月消費者物價指數公布)
下周四(28日)將公布,聯準會關注的通膨指標數據8月份美國個人消費支出物價指數(PCE),美國聯準會(Fed)9月按兵不動,利率區間維持在5.25%~5.50%,不過保留今年底前再升息1碼的可能性。
聯準會主席鮑爾表示,這次雖未升息,未必代表官員已認定目前的貨幣政策已足以控制通膨。針對利率預測,他也說,經濟能「軟著陸」還不是他的基本看法,但仍有可循之道,「若經濟比預期更強,恰恰意味著我們在貨幣政策必須做更多,使通膨回降到2%」。
最主要的鷹派訊號反映在 FOMC 決策官員預估利率落點的「利率預測點狀圖」,顯示預測今年底前會再升息1碼的官員人數,比6月多一人。
多數官員調高明年底時的預估利率區間2碼,由4.50%~4.75%提高到5.00%~5.25%,顯示預估明年的降息幅度由4碼縮小到2碼;2025年底的預估利率水準調高0.2個百分點至3.9%,2026年為2.75%~3%。多數決策官員仍估計長期利率為2.5%。
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