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美擬打擊中國晶片製造商 傳不波及三星SK海力士

本文共889字

中央社 華盛頓6日綜合外電報導

路透社引述消息人士報導,美國總統拜登政府計劃對中國記憶體晶片製造商祭出新管制措施,目的在阻撓北京科技野心和軍事發展,但不打算波及韓國三星和SK海力士公司。

消息人士表示,美國商務部計劃本週對中國推出新一波技術出口管制措施,如果長江存儲(YMTC)和長鑫存儲(CXMT)之類的中國企業是在製造先進的動態隨機存取記憶體(DRAM)或快閃記憶體晶片,美方很可能會拒絕美國供應商的申請,不讓他們向這些中企運送相關設備。

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不過消息人士說,若是申請許可向在中國生產先進記憶體晶片的外國公司出售設備,當局將採逐案審查,可能會允許這些外商取得設備。

知情人士說:「目標是不傷害非本土企業。」

此舉可望緩解韓國記憶體晶片製造商的疑慮,他們最擔心的就是美國可能會阻礙他們在中國的製造業務,以力阻中國的崛起、重創長江存儲,以及保護處於弱勢的美國記憶體晶片製造商。

不過他們還是擔心逐案審查的標準,遠不如明確批准美國設備出貨到中國工廠,可能導致他們與主管機關爭執哪些應該獲准出貨。

新的管制措施鎖定位於中國的動態隨機存取記憶體(DRAM)晶片和儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片製造商。

消息人士表示,美國供應商尋求向位於中國的半導體公司運送設備,如果這些公司生產的是18奈米以上的DRAM晶片、128層以下的NAND快閃記憶體晶片或14奈米以上的邏輯晶片,美國供應商將無須向美國商務部申請許可。

不過,若將精密科技賣給生產18奈米以下的DRAM晶片、128層以上NAND快閃記憶體晶片或14奈米以下邏輯晶片的中國本土晶片製造商,美國企業必須申請許可,將受到嚴格的「拒絕推定」(presumption ofdenial)標準審查。

消息人士還說,若是尋求將設備賣給在中國營運且生產相同類型晶片的外企,美國供應商也將面臨許可證要求,但申請會逐案審查。

韓國三星(Samsung)在中國陝西省設有生產NAND快閃記憶體晶片的工廠。韓國競爭對手SK海力士公司(SK Hynix)先前收購英特爾公司(Intel Corp.)在大連的NAND快閃記憶體晶片製造業務,並在另一座中國工廠生產DRAM晶片。

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