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美光宣布量產HBM3E 高頻寬記憶體 SK海力士股價應聲重挫

記憶體大廠美光(Micron)26日宣布已展開量產高頻寬記憶體「HBM3E」。路透
記憶體大廠美光(Micron)26日宣布已展開量產高頻寬記憶體「HBM3E」。路透

本文共516字

經濟日報 編譯葉亭均/綜合外電

記憶體大廠美光(Micron)26日宣布已展開量產高頻寬記憶體「HBM3E」,這種記憶體將被用於輝達(Nvidia)將在第2季出貨的 H200 Tensor Core GPU,後者可進行AI與高效運算應用。消息激勵美光股價同日大漲4%,南韓記憶體大廠SK海力士今天盤初重挫近3%。

美光表示,已經開始量產24 GB 8-Hi HBM3E,資料傳輸速度為每秒9.2 GT、高峰記憶體頻寬超過每秒1.2 TB。與 HBM3相比,HBM3E 的資料傳輸速度和高峰記憶體頻寬提高44%,這對 Nvidia H200等需要大量頻寬的處理器來說尤其重要。

美光股價26日收盤大漲4.02%至每股89.46美元,盤中一度大漲超過7%。

花旗分析師 Christopher Danely 表示,這項發展對美光有利,預期美光在2024年將產生7億美元的高頻寬記憶體營收。

相較於美光的 HBM3E 已進入量產,原先在HBM領域跑在前頭的韓廠SK海力士如今面臨勁敵。根據 MoneyToday 上周報導,SK海力士1月中旬結束 HBM3E 開發,順利完成輝達歷時半年性能評估,3月將開始量產 HBM3E。

SK海力士今天盤中重挫逾2%,報每股158,100韓元。

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