本文共846字
大陸工信部9月初公布的「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」的通知中，列出全新自製DUV曝光機，分辨率為≤65nm，套刻精度≤8nm，讓許多大陸民眾樂翻，高喊大陸突破美國封鎖，「可生產8奈米晶片」。
沒想到卻慘遭中外媒體打臉，認為此款新的DUV曝光機僅能生產65奈米或以下晶片，有人看到「套刻≤ 8nm」就認為這是8奈米曝光機，令人啼笑皆非。
大陸科技媒體「芯智訊」報導，根據大陸工信部公布的資料顯示，「積體電路生產裝備」項目列出氟化氪曝光機和氟化氬曝光機，氟化氪曝光機就是老式的248奈米光源的KrF曝光機，分辨率為≤110nm，套刻精度≤25nm；氟化氬曝光機則是193奈米光源的ArF曝光機（DUV曝光機），但揭露的這款仍是乾式DUV曝光機，而非更先進的浸沒式DUV曝光機（也稱為ArFi曝光機）。
從工信部揭露的參數來看，此DUV曝光機解析度為≤65nm，套刻精度≤8nm。雖然相比之前上微的SSA600曝光機有所提升（解析度為90nm），仍並未達到可以生產28奈米晶片的程度，更達不到製造什麼8奈米、7奈米晶片的程度，許多網友直接把套刻精度跟曝光製程節點水平搞混。
報導指出，65nm的分辨率，代表能夠達到的製程節點大概就是「65奈米」左右。有人一看到「套刻≤ 8nm」就認為是8奈米曝光機，令人啼笑皆非。
套刻精度則指的是每一層曝光層之間的對準精度。眾所周知，晶片的製造過程，是將很多層的曝光圖案一層一層的實現，並堆疊而成。一層圖案曝光完成後，需要再在上面繼續進行下一層圖案的曝光，而兩層之間需要精準對準，這個對準的精度就是套刻精度，並不是指能夠製造的晶片的工藝製程節點。
科技媒體「WccfTech」則認為，大陸新公布國產DUV曝光機至少落後美國15年，因為荷蘭半導體設備巨擘 ASML 的客戶，至少在 2009 年就可以透過ArF 曝光機生產晶片。
延伸閱讀
紐時引述美晶片專家：美國出口管制「迫使中國晶片公司全面進步」
※ 歡迎用「轉貼」或「分享」的方式轉傳文章連結；未經授權，請勿複製轉貼文章內容
留言