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蔚華科攜手南方科技 攻化合物半導體檢測

本文共291字

中央社 記者鍾榮峰台北28日電

蔚華科今天宣布,與旗下南方科技合作,推出非破壞性缺陷檢測系統,搶攻化合物半導體檢測商機。

蔚華科表示,現行的碳化矽(SiC)檢測方式是將晶錠切片,取上、下兩片基板進行破壞性氫氧化納(KOH)蝕刻檢測。

蔚華科指出,與南方科技合作的非破壞性缺陷檢測系統,是採用非線性光學技術,掃描碳化矽基板,找出基板內部的晶體缺陷,每個晶錠可以省下兩片用以檢測的基板。

此外蔚華科表示,相關檢測系統可以全面檢測晶錠,進行晶錠分析和批次追蹤分析,有助改善製程、提升產量。

蔚華科指出,與南方科技合作推出非破壞性缺陷檢測系統後,未來將加速將南方科技在Micro LED、矽光子等先進光學檢測技術的商業化。

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