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國研院半導體中心與台積電合作開發STT-MRAM

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聯合報 記者簡永祥/台北即時報導

國家實驗研究院台灣半導體研究中心(國研院半導體中心)與台積電合作開發的「選擇器元件與自旋轉移力矩式磁性記憶體整合」(Selector and STT-MRAM Integration),於2023年12月全球頂尖電子元件會議IEDM(International Electron Devices Meeting)中發表,並獲選為Highlight Paper,成為全世界極少數成功開發出高密度、高容量之獨立式STT-MRAM製作技術團隊。半導體中心並將相關技術陸續轉為平台服務,以協助國內產學研界培育下世代記憶體晶片或新一代人工智慧晶片等應用驗證的高階研究人力。

由於STT-MRAM具備高速度、高可靠度、小體積、省電等優點,十分適合應用於雲端運算與物聯網上進行大量的資料儲存,同時可提升人工智慧運算的學習效率與準確性,為國際半導體產學研重點發展領域。

國研院半導體中心侯拓宏主任表示,台灣作為全球半導體晶片製造中心,須及早儲備豐沛的下世代技術開發人才庫,是台灣半導體產業鏈維持競爭力與價值再升級的關鍵。半導體中心更是國內相關領域的高階碩博士研究人力培育搖籃,透過長年建立的產學合作機制及訓練服務經驗,接軌業界實務研發需求,建立小型多樣化的類晶圓製作到電路的產品雛形驗證平台,並藉此訓練培育實作高階研究人力。每年可提供50餘所大學院校、超過500個教授研究團隊的2000位碩博士常駐研究與訓練,讓國內高階人才養成能更進一步貼近產業發展需求。

台積電作為全世界的積體電路製造龍頭,也持續投入產學合作,深耕台灣半導體人才培育。本次與國研院半導體中心合作發表國際指標性論文,除證明國內研究於相關領域已躋身國際領先團隊外,也期望透過半導體中心培育人才之機制,協助台灣高階半導體人才與未來主流技術接軌,深化台灣半導體科技研發量能。

台積電積極開發下世代記憶體,稍早才宣布與工研院開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體,迎合...
台積電積極開發下世代記憶體,稍早才宣布與工研院開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體,迎合兼具高運算及省電需求。圖/工研院提供

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