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碇基半導體雙面散熱 GaN 氮化鎵電晶體 獨家獲 DMTBF 測試驗證

本文共764字

經濟日報 記者劉芳妙/台北即時報導

台達(2308)子公司碇基半導體(Ancora Semiconductor Inc)宣布,近期推出最新雙面散熱GaN氮化鎵場效應電晶體,通過一系列嚴格的DMTBF (Demonstrated Mean Time Between Failures) 測試,驗證碇基獨有的雙面散熱元件FET-E6007PD020其專利雙面散熱結構能有效地分離電氣和熱,進一步解決高功率產品的熱導問題。

在20萬小時的長時間運作下,仍能維持優越效能,突顯其產品的高信賴性與可靠度。此系列產品已應用於台達和威剛科技合作開發的鈦金級電源供應器XPG FUSION 1600W上。

碇基總經理邢泰剛博士表示,寬能隙半導體GaN元件的應用為電力電子帶來了革命性的突破。運用GaN優異的物理特性,我們能夠實現高效能和小型化。除了此款650V雙面散熱的GaN元件FET-E6007PD020,碇基半導體將持續拓展產品線,提供更多樣化的氮化鎵元件,以滿足不同設計需求。

台達電源及系統事業群總經理陳盈源指出,DMTBF測試結果證明Ancora產品的可靠性和穩定性,可實現更高的功率密度和更強大的節能效果。

台達表示,碇基這款產品易於實現頂部散熱應用,同時具有降低電熱耦合風險、促進散熱效能等特點。此外,特殊的封裝結構可減少寄生電感,提高電源產品的效率,在高效能、高密度、高頻率和溫度控制方面表現更出色。此系列產品各項表現,更能滿足於伺服器、AI人工智慧、高效能運算、醫療、網通等先進應用。

碇基在氮化鎵功率半導體領域擁有15年以上的專業經驗,全球已累積超過200件高價值專利。多年來與台積電、羅姆半導體(ROHM)等業界領導公司緊密合作,致力於為客戶提供優質的寬能隙半導體解決方案。這次聯手台達電及威剛科技的策略合作,進一步滿足客戶對高效能電源的需求,提供更可靠的解決方案。

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