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日刊工業新聞報導美光科技計畫在日本廣島縣興建生產DRAM晶片的新廠，預定2026年初動工、最快2027年底投入營運。報導指出，此座新廠，並導入極紫外光（EUV）微影設備，研判將會鎖定更新一代製程的產品。記憶體業者解讀，這是美光為迎接下波半導體景氣回升榮景，重啟增產行動，迎接新一波AI爆發商機。
這也是美光在日本政府多次號召下，配合日本政府復興半導體大計及配合未來AI發展需求強大的運算記憶體需求，所做的布局。
美光原本即有2024年讓新廠投入營運的計畫，但顯然因市況不佳而有所調整。
不過，美光高層去年多與日本首相岸田文雄會面後，即感到日本推動決心，計畫在廣島導入極紫外光微影設備，生產由台日合作開發的新先進1-Gamma製程的DRAM，同時也生產生成AI用的HBM（高頻寬記憶體）。
稍早美光曾透露，美光最新的1-gamma製程，是美光第1代採用極紫外光（EUV）的製程技術，將在2025年上半年先在台中廠量產。
美光同時也計畫在廣島擴廠，並1 Gamma製程產生產最新的記憶體產品，預料將是日本第一座採用EUV設計的晶圓廠，腳步比台積電還早，日本政府也已批准多達1,920億日圓（13億美元）補貼，支持美光在廣島廠生產新一代晶片。不過美光主要用於生產自家產品，台積電則計畫在熊本興建二廠時導入，用於代工生產7奈米及6奈米邏輯晶片，預定今年建始興建，2027年底開始營運。
據報導，美光計畫投資6,000億-8,000億日圓（51億美元），新廠將於2026年初動工，同時也會導入EUV設備。業界研判將會延伸1 Gamma或下世代更新製程，同樣也會投入AI用HBM產品，以支應生成式AI、資料中心和自駕技術發展。
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