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南亞科(2408)製程能力大躍進,助攻成本持續下降。南亞科總經理李培瑛昨(29)日在股東會上表示,目前10奈米第二世代(1B)製程技術有三顆產品正在試產之際,同步設計開發四顆產品,包括16Gb DDR5的微縮版、16Gb LPDDR4、16Gb LPDDR5以及4Gb DDR3,將逐步進入試產。
李培瑛強調,南亞科每個世代都持續以30%的位元提升速度前進,現階段已進入1B製程技術,年底也將試產1C製程,會更具成本效益,而DDR5預期今年下半年小量試產,明年會顯著放量,搶攻PC與伺服器市場。
南亞科董事長吳嘉昭強調,1B製程產品是南亞科今年拓展重點,除8Gb/4Gb DDR4推廣至PC及良祼晶(KGD)應用市場,16Gb DDR5則優先在PC和伺服器應用等主流市場建立實績。
吳嘉昭透露,南亞科今年將同步開發矽穿孔(TSV)製程技術,未來結合DDR5微縮版與TSV製程做成高容量DRAM模組,以供應伺服器市場需求。
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