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集邦:明年 DRAM 位元產出增長 供應商需謹慎規劃產能

本文共738字

經濟日報 記者楊伶雯/台北即時報導

DRAM產業歷經2024年前3季的庫存去化和價格回升,價格動能在第4季出現弱化;TrendForce資深研究副總吳雅婷表示,由於部分供應商在今年獲利後展開新增產能規劃,預估將推升2025年整體DRAM產業位元產出年增25%,成長幅度較2024年為大。

根據TrendForce最新調查,DRAM產業結構越趨複雜,除既有的PC、server、mobile、graphics和consumer DRAM外,又新增HBM品項。從地緣角度分析,近年中國大陸供應商的產能快速成長,預期將造成供給版圖變化。

吳雅婷指出,三大DRAM原廠中,SK hynix因HBM產品大幅提升獲利,2025年新增產能幅度最大。預估2025年整體DRAM產業位元產出將增加25%,若扣除中國大陸供應商的供給,年增幅度將略減為21%。然目前大陸業者的產出絕大多數提供給本地客戶,供應至海外地區的比例微小。

得益於AI需求,HBM成為DRAM產業重要驅動力。如排除HBM產品,2025年一般型DRAM (Conventional DRAM)位元產出預計年增20%;當扣除HBM和大陸業者的供給,即只看三大原廠的conventional DRAM位元產出,預估明年將年增15%,於歷年情況中屬偏低水位。一般而言,一般型DRAM包含DDR5、DDR4、LPDDR4/5,以及graphics和consumer DRAM。

TrendForce指出,2025年整體DRAM產業位元供給充足,若需求不如預期,供應商易面臨跌價壓力。在地緣考量下,中國大陸的DRAM供給達成率將高於其他地區,以使用舊製程的LPDDR4x與DDR4為主,這兩項產品的價格壓力將遠高於其他類別。此外,明年HBM供貨將持續吃緊,以HBM3e情況最嚴重。

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