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SK hynix 率先推出 HBM3e 16hi 產品 推升位元容量上限

本文共871字

經濟日報 記者吳康瑋/台北即時報導

SK hynix近日於SK AI Summit 2024活動揭露其正在開發HBM3e 16hi產品,每顆cube的容量為48GB,預計於2025年上半送樣。根據集邦(TrendForce)最新研究,這項新產品的潛在應用包括CSP自行研發的ASIC和general purpose GPU,有望在HBM4世代量產前,提早於HBM3e世代推升位元容量上限。

集邦表示,HBM供應商以往在各世代皆推出兩種不同堆疊層數的產品,如HBM3e世代原先設計8hi及12hi,HBM4世代規劃12hi及16hi。在各業者已預定於2025年下半以後陸續投入HBM4 12hi的情況下,SK hynix選擇在HBM3e追加推出16hi產品,可歸因於以下背景因素:

首先,TSMC CoWoS-L可提供的封裝尺寸將於2026和2027年間擴大,每SiP(系統級封裝)可搭載的HBM顆數也增加,但後續升級仍面臨技術挑戰和不確定性。

在生產難度更高的HBM4 16hi量產前,可先提供客戶HBM3e 16hi作為大位元容量產品的選擇。以每SiP搭載8顆HBM顆數計算,HBM3e 16hi可將位元容量上限推進至384GB,較NVIDIA Rubin的288GB更大。

從HBM3e進展到HBM4世代,IO數翻倍帶動運算頻寬提高,此升級造成晶粒尺寸放大,但單顆晶粒容量維持在24Gb。在HBM3e 12hi升級至HBM4 12hi的過程中,HBM3e 16hi可作為提供低IO數、小晶粒尺寸和大位元容量的選項。集邦表示,SK hynix的HBM3e 16hi將採用Advanced MR-MUF堆疊製程,和TC-NCF製程相比,使用MR-MUF的產品更容易達到高堆疊層數及高運算頻寬。

在HBM4及HBM4e世代皆預計設計16hi產品的情況下,SK hynix率先量產HBM3e 16hi,將能及早累積此堆疊層數的量產經驗,以加速後續HBM4 16hi的量產時程。SK hynix後續亦不排除再推出hybrid bonding製程版本的16hi產品,以拓展運算頻寬更高的應用客群。

SK海力士(SK hynix)。翻攝自SK海力士官網
SK海力士(SK hynix)。翻攝自SK海力士官網

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