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中科院參與國際半導體展 秀厚實研發實力

本文共640字

經濟日報 曹松清

國家中山科學研究院9月14至16日,參與在台北南港展覽館舉辦的「2022 SEMICON Taiwan國際半導體展」,並展出氮化鋁均溫板、氮化鎵磊晶&製程晶圓&功率放大器及4吋半絕緣碳化矽晶圓&晶碇等多項科技研發成果,展現該院化合物半導體領域之科研能量與實力。

中科院極力開發半絕緣碳化矽晶圓,透過良好控制環境參數及雜質濃度,以獲得良好品質之...
中科院極力開發半絕緣碳化矽晶圓,透過良好控制環境參數及雜質濃度,以獲得良好品質之碳化矽晶圓。 中科院/提供

中科院化學研究所開發的「氮化鋁均溫板」,採用高熱導陶瓷載板配合均溫板技術,整合陶瓷基板與金屬均溫板設計,讓金屬與陶瓷基板可緊密接合,減少熱應力產生的缺陷,使熱擴散能力得以提高,更能有效提高散熱效率。

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中科院半絕緣碳化矽長晶技術可用於第五代(5G)行動通訊所需之基站與雷達關鍵零組件...
中科院半絕緣碳化矽長晶技術可用於第五代(5G)行動通訊所需之基站與雷達關鍵零組件。 中科院/提供

材料暨光電研究所研發的「氮化鎵磊晶&製程晶圓&功率放大器」,具有鐵摻雜之氮化鎵磊晶層可做為半導體元件之絕緣層,有效降低高遷移率電晶體(HEMTs)漏電流現象,達到高崩潰電壓要求,藉由調控成長條件下(例如:溫度、壓力),進行不同參雜濃度之氮化鎵磊晶層成長,並以自製碳化矽基板進行高品質、高電子遷移率氮化鎵磊晶,成品可應用於5G基站之功率放大器應用。

另在「4吋半絕緣碳化矽晶圓(碇)」部份,半絕緣碳化矽長晶技術可用於第五代(5G)行動通訊所需之大基站與收發模組關鍵零組件,透過寬能隙材料具有較高的熱傳導及較高的工作溫度等特性,有助於5G行動通訊基地台微縮化及普及化,達成高速/大流量的通訊需求。

中科院於半導體展期間,將攜手台灣經濟研究院,以高功率元件應用研發聯盟名義,與台灣大學、陽明交通大學、成功大學及台灣半導體研究中心共同展示,期透過此研發聯盟促進我國功率電子相關產業與國內外產業鏈技術交流,並帶動國內相關技術供應鏈合作。

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