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格棋的研發團隊成員在化合物半導體領域擁有豐富經驗。格棋中壢新廠總投資金額達新台幣6億元，預計2024年第四季達到滿載。其中，6吋碳化矽晶片月產能可達5,000片，至2024年底，新廠將安裝20台8吋長晶爐及100台6吋長晶爐，預計2028年6／8吋長晶爐可達1,000台規模，大幅提升整體產能。新廠預計可以提供150個以上的就業機會。
格棋擁有獨特的碳化矽晶體技術，包括特殊的晶種結合方法、即時監控系統、塗層技術及原料控制和熱處理技術，其核心技術可以有效提升晶體質量，降低缺陷密度，為客戶提供高品質、高可靠性的碳化矽晶圓。
格棋技術長葉國偉博士強調：「碳化矽半導體憑藉高效、高頻和耐高溫等特性，在電動車、混合動力車及5G通訊等領域獲得廣泛的應用。隨著技術日益成熟，成本逐漸下降，市場需求快速成長。我們的目標是透過持續創新，鞏固公司在全球碳化矽供應鏈中的核心地位。」
隨著中壢新廠落成，以及與不同領域夥伴的戰略合作，格棋化合物半導體公司正式邁入另一個發展階段，未來將持續投資研發，優化製程技術，提供客戶高品質的碳化矽晶圓產品，強化台灣在全球第三類半導體產業中的領先地位。
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