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SK 海力士攜手台積電 強化下一代 HBM 晶片效能

K海力士(SK Hynix)與台積電簽署合作備忘錄,攜手開發下一代高頻記憶體(HBM)晶片,透過先進封裝技術強化邏輯層與HBM的整合。路透
K海力士(SK Hynix)與台積電簽署合作備忘錄,攜手開發下一代高頻記憶體(HBM)晶片,透過先進封裝技術強化邏輯層與HBM的整合。路透

本文共286字

經濟日報 編譯簡國帆/綜合外電

南韓記憶體晶片大廠SK海力士(SK Hynix)與台積電(2330)簽署合作備忘錄,攜手開發下一代高頻記憶體(HBM)晶片,透過先進封裝技術強化邏輯層與HBM晶片的整合。

SK海力士發布聲明表示,計劃與台積電合作開發預定2026年起量產的第六代HBM晶片HBM4,將採用台積電的晶圓代工製程,提高HBM4的效能。

SK海力士表示,雙方將先致力於針對搭載於HBM封裝內最底層的基礎晶片(Base Die)進行效能改善。 HBM是將多個DRAM晶片(Core Die)堆疊在基礎晶片上,並透過TSV技術進行垂直連接而成。基礎晶片也連接至繪圖處理器(GPU),發揮控制HBM的作用。

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