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英特爾昨（18）日宣布，在其美國俄勒岡州的研發中心，完成業界首台商用高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）微影設備組裝，領先同業，預計2027年啟用。
外界認為，這顯示出英特爾在先進製程晶圓製造想要後來居上、甚至超前台積電（2330）的企圖心。
半導體設備商艾司摩爾（ASML）於去年底在社群平台X貼出圖片，顯示開始將第一套高數值孔徑EUV系統的主要部分出貨給英特爾。如今英特爾宣布已完成組裝，展現領先競爭對手的用意明顯。
英特爾先前釋出四年發展五個製程節點計畫，預計最先進可達Intel 18A製程，並規劃未來將在其Intel 14A製程導入利用高數值孔徑EUV。先前根據分析師預估，這套高數值孔徑EUV設備的價格約達2.5億歐元。
英特爾的目標是2030年之前，成為全球第二大晶圓代工業者。英特爾規劃，將在2027年前開發出14A製程，以及Intel 14A-E製程。
英特爾強調，高數值孔徑EUV設備TWINSCAN EXE:5000現正進行校準，這款新設備能通過改變光學設計，在將圖像投射到矽晶圓上時顯著提高解析度與特徵縮放，為下一代處理器提供支援。
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