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英特爾昨(18)日宣布,在其美國俄勒岡州的研發中心,完成業界首台商用高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)微影設備組裝,領先同業,預計2027年啟用。
外界認為,這顯示出英特爾在先進製程晶圓製造想要後來居上、甚至超前台積電(2330)的企圖心。
半導體設備商艾司摩爾(ASML)於去年底在社群平台X貼出圖片,顯示開始將第一套高數值孔徑EUV系統的主要部分出貨給英特爾。如今英特爾宣布已完成組裝,展現領先競爭對手的用意明顯。
英特爾先前釋出四年發展五個製程節點計畫,預計最先進可達Intel 18A製程,並規劃未來將在其Intel 14A製程導入利用高數值孔徑EUV。先前根據分析師預估,這套高數值孔徑EUV設備的價格約達2.5億歐元。
英特爾的目標是2030年之前,成為全球第二大晶圓代工業者。英特爾規劃,將在2027年前開發出14A製程,以及Intel 14A-E製程。
英特爾強調,高數值孔徑EUV設備TWINSCAN EXE:5000現正進行校準,這款新設備能通過改變光學設計,在將圖像投射到矽晶圓上時顯著提高解析度與特徵縮放,為下一代處理器提供支援。
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