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據 TrendForce 最新預估，第2季 DRAM 合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash 合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產品僅 eMMC/UFS 價格漲幅較小，約10%。
403地震發生前，TrendForce 原先預估，第2季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND Flash 為13~18%，相較第1季漲幅明顯收斂，當時從合約價先行指標的現貨價格就可看出，現貨價已連續走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智慧型手機的需求尚未有復甦跡象，買方在手庫存逐漸增高，又以PC OEM 為最。同時，DRAM 及 NAND Flash 至今已分別續漲2~3個季度，買方要再接受大幅漲價的意願消退。
403震後，市場零星傳出有PC OEM 供應商出於特殊考量，接受高昂的 DRAM 及 NAND Flash 合約價漲幅，但僅是零星成交案件。至4月下旬，相關業者陸續完成新一輪合約價議價後，漲幅較原先預期擴大，推動 TrendForce 同步上修第2季 DRAM、NAND Flash 合約價漲，除反映買方欲支撐在手庫存的價值，關鍵更包含供需兩端對AI市場展望的考量。
TrendForce 表示，由於原廠擔憂後續有HBM產能排擠效應，以三星（Samsung）來看，HBM3e產品採用1alpha製程節點，至2024年底將占用1alpha製程產能約六成，進一步排擠 DDR5供給量，尤其以第3季HBM3e生產即將放量的時間點影響最大，經評估後買方轉而願意第2季提前備貨，因應第3季起可能出現HBM供應短缺。
同時，隨著節能成為AI推論伺服器（AI Inference Server）優先考量，北美雲端服務業者（CSP）擴大採用 QLC Enterprise SSD 作為存儲的解決方案，帶動 QLC Enterprise SSD 需求，並加速部分供應商的庫存去化，推動部分供應商出現惜售心態。值得注意的是，受限於消費性產品需求復甦情況不明朗，故原廠普遍對於非 HBM 晶圓產能的資本支出趨於保守，尤其是價格仍處於損益平衡點的 NAND Flash。
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